杨玄在讲台讲的绘声绘色，台下一帮老教授和一群年轻学生听得纷纷惊愕。

吴德欣教授更是凝眉沉思，狐疑道：“小伙子，我记得……你的那份设计稿，是极深紫外线的沉浸式光刻技，怎么现在说起duv了？”

duv是深紫外线，而euv则是极深紫外线。

“吴老，您先别急，我下面就说euv技术了。”

杨玄微微一笑的，继续道：“还是先从世界商业机构开始谈。”

“1997年EUVLLC联盟成立以来，截止2003年，六年的时间，EUVLLC的科学家发表了几百篇论文，验证了EUV光刻机的可行性，联盟解散！”

“但是，euv技术却已经开始在欧美国家立项、研发……”

“我现在给大家绘制一下，一个完整的euv光刻机，将涉及那些仪器。”

说着，杨玄转过身，拿起粉笔，在黑板，快速绘图。

从光源、物镜、工作台、光束矫正器、能量控制器、光束形状设置、遮光器、能量探测器、掩膜版、掩膜台、以及内部封闭框架减震器。

一共是十一个核心部件。

然而，其中却涉及到大量的核心技术，对于科学院而言，都是闻所未闻的。

和duv的光刻技术不同，euv的光源技术，必须配备能高端激光器。

毕竟，duv只能制造25nm左右的ic芯片，然而euv却是可以制造个位数nm。

哪怕是杨玄重生前，国产光刻机都没有成功交付duv光刻机，更别说十五年前的现在谈论euv了。

长达一个小时的绘图和注解列举完毕，杨玄又在“光源技术”四个字画了个圈。

转过身，拍了拍手，继续道：“诸位前辈，euv光刻机的核心技术，主要是在光源技术。”

“由于黑板太小，我就不详细写出来了，下面我尽量简单说一下，大家可以用笔记着。”

“目前，主要有4种方案可以获得EUV光源……”

“分别是：同步辐射源、激光等离子体、放电等离子体和激光辅助放电等离子体。”

“同步辐射源的优点是可以产生高功率的EUV光，而且它对光学原件无碎屑污染（另外三种方案都会产生碎屑），可以长时间稳定地输出EUV光。”

“但是，过于复杂和庞大的装置构造，以及极其高昂的造价等都表明同步辐射源并不适用于HVM生产。”

“这种源自同步加速器的装置，大小都是百米单位来算的。”

“激光等离子体，放电等离子体、和激光辅助放电等离子体都是通过高能量束使靶材产生较高的温升，从而产生高温、高密度的等离子体并发射EUV光。”

“虽然它们的形成方法有所差异，但却可以使用相同靶材，常规用的是锡靶。”

“激光等离子体是以高强度的脉冲激光为驱动能源照射靶材，使靶材产生高温等离子体并辐射EUV光。”

“其中，采用数十千瓦功率的激光从一圆孔进入打在液滴锡靶，产生的极紫外光通过多层介质膜反射镜反射汇聚在中心焦点处。”

偌大的教室内，一片肃静。

百名科学院师生，这一刻，无不全神贯注的听着。