淦，放弃放弃！

然后是7nm……

14nm……

……

全部看完，罗离彻底无奈了。

以他目前的系统积分，居然只能买得起130nm级别的光刻机！还特么是DUV光源！！

DUV光刻机和EUV光刻机能比？

寒碜谁呢？

DUV光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248nm的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm，但却是以牺牲良品率为代价！

几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！

先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28nm也远远解决不了钉子现在的危机。

更别提暴增的材料成本了。

光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。

在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？

在目前，DUV光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，这时候就需要依靠EUV光刻机。

EUV光刻机采用的是一种13.5nm的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。

用EUV光刻机制造7nm级芯片，只需要曝光一次。

在现阶段，

国产芯片仅能满足日常生产生活的基础要求，高端光刻机无法进入国内，高级芯片生产的困难还是很严峻。

钉子如果想真正解决芯片的问题，第一件需要解决的就是光刻机精度。

“既然不能制造光刻机，那能不能对现有的光刻机制程进行改进？”

罗离忽然有了一个大胆的想法。

众所周知，光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，随着科技的进步，极限光源的波长也在不断缩小，从DUV光源的248nm级数不断突破，一直来到现在的13.5nm极紫光束，进步不可谓不大。

这也是现在芯片技术能突破个位数的根本原因。

既然无法从其他资本手中买到高级光刻机，也无法凭空从系统中兑换，那有没有可能通过系统的黑科技技术，将国内现有的光刻机工艺水平提升到世界水平……

思绪至此，罗离的心跳开始加快。

对啊，

改装升级的成本可比从无到有低多了，而且现在国内的芯片工艺也不算太拉胯，要是……

罗离没有丝毫犹豫，马上打开系统兑换窗口，然后在搜索框中输入文字。

再度摒弃一系列花里胡哨的科幻风选项，罗离一口气直接将列表拖拽到最底下。

一行不起眼的小字出现在眼前。

【“稳态微距束”技术：20万积分；】

光速浏览完介绍，罗离瞪大了眼睛。

就你了！

咬咬牙，直接选择兑换！！

“唰！”

强光一闪而过。

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